FQD19N10LTM 価格設定（USD） [239105個在庫]
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- 品番:
- FQD19N10LTM
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FQD19N10LTM electronic components. FQD19N10LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD19N10LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD19N10LTM 製品の属性
品番 :
FQD19N10LTM
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
シリーズ :
QFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
870pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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