Diodes Incorporated - DMNH6008SCT

KEY Part #: K6393821

DMNH6008SCT 価格設定(USD) [63403個在庫]

  • 1 pcs$0.61670
  • 50 pcs$0.57489

品番:
DMNH6008SCT
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMNH6008SCT electronic components. DMNH6008SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6008SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH6008SCT 製品の属性

品番 : DMNH6008SCT
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 130A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs(最大) : 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2596pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 210W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • FDD5680

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK.

  • IRFI820G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.

  • RJK5033DPP-M0#T2

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 500V 6A TO220.