IRFI820G 価格設定（USD） [28377個在庫]
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- 品番:
- IRFI820G
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFI820G electronic components. IRFI820G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI820G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI820G 製品の属性
品番 :
IRFI820G
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
360pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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