FDD5670 価格設定（USD） [83734個在庫]
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- 品番:
- FDD5670
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD5670 electronic components. FDD5670 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD5670, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD5670 製品の属性
品番 :
FDD5670
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
52A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2739pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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