Microsemi Corporation - APTM100A13SG

KEY Part #: K6522775

APTM100A13SG 価格設定（USD） [512個在庫]

1 pcs$97.00869
10 pcs$92.32358
25 pcs$88.97832

品番:: APTM100A13SG

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM100A13SG electronic components. APTM100A13SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100A13SG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM100A13SG 製品の属性

品番 : APTM100A13SG

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET機能 : Standard

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V (1kV)

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 65A

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 6mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 562nC @ 10V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 15200pF @ 25V

パワー-最大 : 1250W

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : SP6

サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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