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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D(STA4,Q,M) electronic components. TK16A55D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK16A55D(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK16A55D(STA4,Q,M) 製品の属性
品番 :
TK16A55D(STA4,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
シリーズ :
π-MOSVII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
550V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
330 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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