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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H(TE85L,FM electronic components. TPC6010-H(TE85L,FM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC6010-H(TE85L,FM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC6010-H(TE85L,FM 製品の属性
品番 :
TPC6010-H(TE85L,FM
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
シリーズ :
U-MOSVI-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
59 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
830pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VS-6 (2.9x2.8)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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