Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6009-H(TE85L,FM

KEY Part #: K6405623

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    品番:
    TPC6009-H(TE85L,FM
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC6009-H(TE85L,FM 製品の属性

    品番 : TPC6009-H(TE85L,FM
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
    シリーズ : U-MOSVI-H
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.3A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 81 mOhm @ 2.7A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.3V @ 100µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.7nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 290pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 700mW (Ta)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : VS-6 (2.9x2.8)
    パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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