メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
5.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
81 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.3V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
4.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
290pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ :
VS-6 (2.9x2.8)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6