EPC - EPC2212

KEY Part #: K6403378

EPC2212 価格設定(USD) [72608個在庫]

  • 1 pcs$0.53851

品番:
EPC2212
メーカー:
EPC
詳細な説明:
AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2212 製品の属性

品番 : EPC2212
メーカー : EPC
説明 : AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 407pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
パッケージ/ケース : Die
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