ON Semiconductor - FDD306P

KEY Part #: K6403321

FDD306P 価格設定(USD) [263402個在庫]

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品番:
FDD306P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD306P 製品の属性

品番 : FDD306P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1290pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 52W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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