FDD3682-F085 価格設定（USD） [152046個在庫]
- 1 pcs$0.24326
- 品番:
- FDD3682-F085
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD3682-F085 electronic components. FDD3682-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3682-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD3682-F085 製品の属性
品番 :
FDD3682-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.5A (Ta), 32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1250pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
95W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252AA
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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