TPN7R506NH,L1Q 価格設定（USD） [249256個在庫]
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- 品番:
- TPN7R506NH,L1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH,L1Q electronic components. TPN7R506NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN7R506NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN7R506NH,L1Q 製品の属性
品番 :
TPN7R506NH,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
26A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1800pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta), 42W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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