ON Semiconductor - RFD3055LESM9A

KEY Part #: K6409535

RFD3055LESM9A 価格設定(USD) [341742個在庫]

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品番:
RFD3055LESM9A
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD3055LESM9A 製品の属性

品番 : RFD3055LESM9A
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 350pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 38W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252AA
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63