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ON Semiconductor - RFD3055LESM9A

KEY Part #: K6409535

RFD3055LESM9A 価格設定（USD） [341742個在庫]

  • 1 pcs$0.10823
  • 2,500 pcs$0.10700
  • 5,000 pcs$0.09962
  • 12,500 pcs$0.09839
品番:
RFD3055LESM9A
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
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家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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We specialize in ON Semiconductor RFD3055LESM9A electronic components. RFD3055LESM9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFD3055LESM9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD3055LESM9A 製品の属性

品番 : RFD3055LESM9A
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs（最大） : ±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 350pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 38W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252AA
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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