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ON Semiconductor - FCD850N80Z

KEY Part #: K6409543

FCD850N80Z 価格設定（USD） [85917個在庫]

  • 1 pcs$0.45510
  • 2,500 pcs$0.43461
品番:
FCD850N80Z
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCD850N80Z electronic components. FCD850N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD850N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD850N80Z 製品の属性

品番 : FCD850N80Z
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 600µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1315pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 75W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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