[3946個在庫]
- 品番:
- SI4276DY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4276DY-T1-GE3 electronic components. SI4276DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4276DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4276DY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4276DY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1000pF @ 15V
パワー-最大 :
3.6W, 2.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VKM40-06P1
- VMM85-02F
- GMM3X100-01X1-SMDSAM
- UPA2380T1P-E4-A
- BUK9MNN-65PKK,518
- AO4850
- UPA672T-T1-A
- AO4840L_102
- SI4965DY-T1-GE3
- FDG6301N-F085P
- FDS8984_F123
- IRF7341QTRPBF
- AO8830
- AO4622
- DMNH4015SSDQ-13
- AON5802ALS
- FDS8947A
- IRF9956PBF
- NTQD6968NR2
- APTM100TA35SCTPG
- SP8M4FU6TB
- SI6955ADQ-T1-E3
- SI4967DY-T1-GE3
- SI7958DP-T1-GE3
- SI7224DN-T1-GE3
- SI5935DC-T1-E3
- SI4830ADY-T1-E3
- SI1033X-T1-E3
- NTJD4105CT4
- BSO303PNTMA1
- ZXMN3A06DN8TC
- NDS9942
- NTMFD4C87NT1G
- AUIRF7319QTR
- SQJ244EP-T1_GE3
- SH8M13GZETB
- BSC0925NDATMA1
- EFC2J003NUZTCG
- FDG6332C-F085P
- 2N7002PS,125