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ON Semiconductor - FDC6561AN

KEY Part #: K6522441

FDC6561AN 価格設定（USD） [447042個在庫]

  • 1 pcs$0.08315
  • 3,000 pcs$0.08274
品番:
FDC6561AN
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDC6561AN electronic components. FDC6561AN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC6561AN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6561AN 製品の属性

品番 : FDC6561AN
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 3.2nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 220pF @ 15V
パワー-最大 : 700mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6

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