ALD114913PAL 価格設定（USD） [24306個在庫]
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- 品番:
- ALD114913PAL
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD114913PAL electronic components. ALD114913PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD114913PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ALD114913PAL 製品の属性
品番 :
ALD114913PAL
メーカー :
Advanced Linear Devices Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
シリーズ :
EPAD®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 :
Depletion Mode
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
10.6V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12mA, 3mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 Ohm @ 2.7V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.26V @ 1µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2.5pF @ 5V
パワー-最大 :
500mW
動作温度 :
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDIP
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