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ON Semiconductor - FDME1023PZT

KEY Part #: K6523214

FDME1023PZT 価格設定（USD） [370455個在庫]

  • 1 pcs$0.10034
  • 5,000 pcs$0.09984
品番:
FDME1023PZT
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDME1023PZT electronic components. FDME1023PZT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDME1023PZT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDME1023PZT 製品の属性

品番 : FDME1023PZT
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7.7nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 405pF @ 10V
パワー-最大 : 600mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-UFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-MicroFET (1.6x1.6)

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