IRFH7911TRPBF 価格設定（USD） [74750個在庫]
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- 品番:
- IRFH7911TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH7911TRPBF electronic components. IRFH7911TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH7911TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH7911TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFH7911TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A, 28A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1060pF @ 15V
パワー-最大 :
2.4W, 3.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
18-PowerVQFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (5x6)
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