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- 品番:
- RJM0603JSC-00#12
- 詳細な説明:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#12 electronic components. RJM0603JSC-00#12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJM0603JSC-00#12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJM0603JSC-00#12 製品の属性
品番 :
RJM0603JSC-00#12
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
43nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2600pF @ 10V
パワー-最大 :
54W
動作温度 :
175°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
20-HSOP
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