Microsemi Corporation - APTM100VDA35T3G

KEY Part #: K6523414

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    品番:
    APTM100VDA35T3G
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100VDA35T3G 製品の属性

    品番 : APTM100VDA35T3G
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
    シリーズ : POWER MOS 7®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Standard
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V (1kV)
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 186nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5200pF @ 25V
    パワー-最大 : 390W
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : SP3
    サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

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