Infineon Technologies - IRFHM8363TRPBF

KEY Part #: K6525382

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品番:
IRFHM8363TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFHM8363TRPBF 製品の属性

品番 : IRFHM8363TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1165pF @ 10V
パワー-最大 : 2.7W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33