Microsemi Corporation - APTC80H15T1G

KEY Part #: K6522653

APTC80H15T1G 価格設定(USD) [2130個在庫]

  • 1 pcs$20.33688
  • 100 pcs$19.84068

品番:
APTC80H15T1G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTC80H15T1G electronic components. APTC80H15T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC80H15T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC80H15T1G 製品の属性

品番 : APTC80H15T1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 28A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 2mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 180nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4507pF @ 25V
パワー-最大 : 277W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP1
サプライヤーデバイスパッケージ : SP1

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

  • FDG6320C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.