[1611個在庫]
- 品番:
- NP75P04YLG-E1-AY
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America NP75P04YLG-E1-AY electronic components. NP75P04YLG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP75P04YLG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP75P04YLG-E1-AY 製品の属性
品番 :
NP75P04YLG-E1-AY
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
75A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.7 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta), 138W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSON
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
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