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ON Semiconductor - FDC6506P

KEY Part #: K6522734

FDC6506P 価格設定（USD） [386259個在庫]

  • 1 pcs$0.09624
  • 3,000 pcs$0.09576
品番:
FDC6506P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDC6506P electronic components. FDC6506P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC6506P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6506P 製品の属性

品番 : FDC6506P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 3.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 190pF @ 15V
パワー-最大 : 700mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6

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