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- 品番:
- SI5902DC-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5902DC-T1-E3 electronic components. SI5902DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5902DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5902DC-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI5902DC-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
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