Microsemi Corporation - APTMC120HRM40CT3AG

KEY Part #: K6523357

[4193個在庫]


    品番:
    APTMC120HRM40CT3AG
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    POWER MODULE - SIC MOSFET.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APTMC120HRM40CT3AG electronic components. APTMC120HRM40CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC120HRM40CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTMC120HRM40CT3AG 製品の属性

    品番 : APTMC120HRM40CT3AG
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : POWER MODULE - SIC MOSFET
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V (1.2kV)
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 73A (Tc)
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 34 mOhm @ 50A, 20V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 12.5mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 161nC @ 5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2788pF @ 1000V
    パワー-最大 : 375W
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : Module
    サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

    あなたも興味があるかもしれません
    • SI1539DDL-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

    • PMGD130UN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP.

    • UPA672T-T1-A

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88.

    • SM6K2T110

      Rohm Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

    • ZXMC3AMCTA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

    • AO8804L

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.