C3M0065100K 価格設定（USD） [7322個在庫]
- 1 pcs$5.62774
- 品番:
- C3M0065100K
- メーカー:
- Cree/Wolfspeed
- 詳細な説明:
- 1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0065100K electronic components. C3M0065100K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0065100K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0065100K 製品の属性
品番 :
C3M0065100K
メーカー :
Cree/Wolfspeed
説明 :
1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
シリーズ :
C3M™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
15V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 15V
Vgs（最大） :
+19V, -8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
660pF @ 600V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
113.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-4L
パッケージ/ケース :
TO-247-4
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