FDT439N 価格設定（USD） [315576個在庫]
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- 品番:
- FDT439N
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDT439N electronic components. FDT439N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT439N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDT439N 製品の属性
品番 :
FDT439N
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
500pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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