ON Semiconductor - FDB1D7N10CL7

KEY Part #: K6395373

FDB1D7N10CL7 価格設定(USD) [12273個在庫]

  • 1 pcs$3.35783

品番:
FDB1D7N10CL7
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
FET 100V 1.7 MOHM D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB1D7N10CL7 製品の属性

品番 : FDB1D7N10CL7
メーカー : ON Semiconductor
説明 : FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 268A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 15V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.65 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 163nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 11600pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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