Texas Instruments - CSD17579Q5A

KEY Part #: K6395354

CSD17579Q5A 価格設定(USD) [380168個在庫]

  • 1 pcs$0.09729
  • 2,500 pcs$0.09247

品番:
CSD17579Q5A
メーカー:
Texas Instruments
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Texas Instruments CSD17579Q5A electronic components. CSD17579Q5A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17579Q5A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17579Q5A 製品の属性

品番 : CSD17579Q5A
メーカー : Texas Instruments
説明 : MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
シリーズ : NexFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.7 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15.1nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1030pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 36W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-VSONP (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.

  • CSD25304W1015

    Texas Instruments

    MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA.

  • CSD18541F5

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR.

  • CSD25480F3

    Texas Instruments

    MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR.

  • CSD17327Q5A

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 65A 8SON.

  • CSD17579Q5A

    Texas Instruments

    MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON.