説明 :
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.15V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
595pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-DSBGA
パッケージ/ケース :
6-UFBGA, DSBGA