ON Semiconductor - FDN358P

KEY Part #: K6395275

FDN358P 価格設定(USD) [694448個在庫]

  • 1 pcs$0.05353
  • 3,000 pcs$0.05326

品番:
FDN358P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDN358P electronic components. FDN358P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN358P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN358P 製品の属性

品番 : FDN358P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 182pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3