DMN67D8LDW-7 価格設定（USD） [1082423個在庫]
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- 品番:
- DMN67D8LDW-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7 electronic components. DMN67D8LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN67D8LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN67D8LDW-7 製品の属性
品番 :
DMN67D8LDW-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
230mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.82nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
22pF @ 25V
パワー-最大 :
320mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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