説明 :
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
8.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
294 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
13.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
657pF @ 30V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN3333-8
パッケージ/ケース :
8-VDFN Exposed Pad