Nexperia USA Inc. - PML260SN,118

KEY Part #: K6416136

PML260SN,118 価格設定(USD) [12169個在庫]

  • 1,400 pcs$0.20230

品番:
PML260SN,118
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PML260SN,118 electronic components. PML260SN,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PML260SN,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PML260SN,118 製品の属性

品番 : PML260SN,118
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 294 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 657pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN3333-8
パッケージ/ケース : 8-VDFN Exposed Pad

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.