Infineon Technologies - IRF5802TRPBF

KEY Part #: K6416203

IRF5802TRPBF 価格設定(USD) [420018個在庫]

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品番:
IRF5802TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5802TRPBF 製品の属性

品番 : IRF5802TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 900mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 88pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Micro6™(TSOP-6)
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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