Infineon Technologies - IRF5803TRPBF

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IRF5803TRPBF 価格設定(USD) [402865個在庫]

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品番:
IRF5803TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5803TRPBF 製品の属性

品番 : IRF5803TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1110pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Micro6™(TSOP-6)
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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