SIS412DN-T1-GE3 価格設定（USD） [367832個在庫]
- 1 pcs$0.10056
- 3,000 pcs$0.09462
- 品番:
- SIS412DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIS412DN-T1-GE3 electronic components. SIS412DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS412DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIS412DN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIS412DN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
435pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR