BS107P 価格設定（USD） [128110個在庫]
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- 品番:
- BS107P
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated BS107P electronic components. BS107P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BS107P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BS107P 製品の属性
品番 :
BS107P
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.6V, 5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-92-3
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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