Vishay Siliconix - SI8902AEDB-T2-E1

KEY Part #: K6525400

SI8902AEDB-T2-E1 価格設定(USD) [278320個在庫]

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品番:
SI8902AEDB-T2-E1
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8902AEDB-T2-E1 製品の属性

品番 : SI8902AEDB-T2-E1
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 24V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 5.7W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-Micro Foot™ (1.5x1)

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