AUIRF7341QTR 価格設定（USD） [105048個在庫]
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- 品番:
- AUIRF7341QTR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7341QTR electronic components. AUIRF7341QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7341QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7341QTR 製品の属性
品番 :
AUIRF7341QTR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.1A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
780pF @ 25V
パワー-最大 :
2.4W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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