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- 品番:
- SI5915DC-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5915DC-T1-GE3 electronic components. SI5915DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5915DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5915DC-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI5915DC-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
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