メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR
FETタイプ :
N and P-Channel Complementary
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
4.6A (Ta), 3.2A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 5A, 4.5V, 74 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
369pF @ 10V, 440pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSOT-26