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Microsemi Corporation - APTC60VDAM45T1G

KEY Part #: K6522642

APTC60VDAM45T1G 価格設定（USD） [2122個在庫]

  • 1 pcs$20.40067
  • 100 pcs$19.89030
品番:
APTC60VDAM45T1G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTC60VDAM45T1G electronic components. APTC60VDAM45T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60VDAM45T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60VDAM45T1G 製品の属性

品番 : APTC60VDAM45T1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Super Junction
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 49A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.9V @ 3mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 150nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 7200pF @ 25V
パワー-最大 : 250W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP1
サプライヤーデバイスパッケージ : SP1

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