DMN3032LFDBQ-13 価格設定（USD） [504565個在庫]
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- 10,000 pcs$0.06460
- 品番:
- DMN3032LFDBQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-13 electronic components. DMN3032LFDBQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3032LFDBQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3032LFDBQ-13 製品の属性
品番 :
DMN3032LFDBQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.2A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
500pF @ 15V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type B)
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