説明 :
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3.4A, 2.8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
57 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
11.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
360pF @ 50V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)