Infineon Technologies - IPG20N06S4L14ATMA1

KEY Part #: K6523608

[4109個在庫]


    品番:
    IPG20N06S4L14ATMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 8TDSON.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S4L14ATMA1 electronic components. IPG20N06S4L14ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S4L14ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPG20N06S4L14ATMA1 製品の属性

    品番 : IPG20N06S4L14ATMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 8TDSON
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.7 mOhm @ 17A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 20µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2890pF @ 25V
    パワー-最大 : 50W
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-4

    あなたも興味があるかもしれません
    • SI6562DQ-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP.

    • IRF7555TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8.

    • SI6963BDQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP.

    • AO8830

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP.

    • NTQD6968N

      ON Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP.

    • NTQD6968NR2

      ON Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP.