Diodes Incorporated - DMN3032LE-13

KEY Part #: K6409693

DMN3032LE-13 価格設定(USD) [392747個在庫]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,500 pcs$0.08429

品番:
DMN3032LE-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3032LE-13 electronic components. DMN3032LE-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3032LE-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3032LE-13 製品の属性

品番 : DMN3032LE-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 29 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 498pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD6530A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK.

  • FQD30N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3.

  • FQD7P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD8647L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 14A DPAK.

  • FDD5353

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.

  • FQD19N10LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.