TK9P65W,RQ 価格設定（USD） [118862個在庫]
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- 品番:
- TK9P65W,RQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK9P65W,RQ electronic components. TK9P65W,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK9P65W,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK9P65W,RQ 製品の属性
品番 :
TK9P65W,RQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 350µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 300V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
80W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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