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- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110(TE12L,Q,M) electronic components. TPC8110(TE12L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8110(TE12L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC8110(TE12L,Q,M) 製品の属性
品番 :
TPC8110(TE12L,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
シリーズ :
U-MOSIII
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
48nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2180pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP (5.5x6.0)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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